但是,由于碳氢基团的热解吸以及结构的重组降低了薄膜的厚度,并且热解吸还导致薄膜的疏水性能降低。其次真空热处理降低了薄膜的漏电流,并且使SiCOH/Si界面的界面态发生改变。
     （1）焊接方法。复合耐磨板对过热十分敏感，因此宜采用焊条电弧焊和TIG焊等焊接热输入较低的焊接方法，也可以MIG和埋弧焊，电渣焊与气焊引起晶粒粗大，不宜采用。
       （2）焊接材料的选用。复合耐磨板焊接可以采用同质焊接材料，也可采用异质焊接材料。前者的化学成分应与母材相近，后者主要是奥氏体钢型焊接材料，通常用于不允许进行预热或焊后热处理的场合，对于要求耐高温腐蚀和抗氧化的焊接接头，应优先使用同质材料。
       （3）焊接热输入。复合耐磨板的突出问题是接头脆化，主要原因之一是过热区晶粒长大。长大程度取决于接头所达到的 温度及其停留时间。为了避免在高温下长时间停留而导致粗晶和σ相析出脆化，应采用尽可能低的热输入。

激光焊接的工艺及流程,分析了在优化工艺参数下焊接接头的显组织、耐腐蚀性能和力学性能. 显组织分析表明:焊缝窄且宽度均匀,未发现裂纹等缺陷；双面超薄不锈钢复合板的激光双面焊接具有成形性能好,焊缝金属与覆层不锈（略）连接良好.PSP法、CSP法和PSS法的激光焊缝晶粒均比母材的小。
随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致号传输延时、功耗增大以及互连阻容耦合增大等问题,为了解决这一问题,多孔低(超低)k介电材料越来越引起人们的注意。通过在前驱气体D5源中添加甲烷,由ECRCVD沉积技术制备出了SiCOH薄膜,由于在SiCOH低k薄膜的致孔工艺及后道工艺中,薄膜需要经受400～450℃的热冲击,因此首先对不同甲烷流量下真空退火前后薄膜的结构、表面形貌和湿水性进行了研究。在真空热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使Si-O-Si网络结构以及链式结构发生交联而形成鼠笼结构,从而提高了薄膜中孔隙的含量,并使薄膜表面更平整。